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SiGe High-Linearity, 2000MHz to 3000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, V CC = +3.3V , P LO = 0dBm, P RF = -5dBm, LO is low-side injected for a 300MHz IF, T C = +25°C, unless
otherwise noted.)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
0
-10
-20
-30
T C = +25°C
V CC = 3.3V
T C = -40°C
0
-10
-20
-30
V CC = 3.3V
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
0
-10
-20
-30
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
T C = +85°C
-40
-40
-40
1700
1900
2100 2300 2500
2700
1700
1900
2100 2300 2500
2700
1700
1900
2100 2300 2500
2700
60
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
60
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
60
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
50
T C = +85°C
T C = +25°C
50
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
50
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
40
40
40
30
20
T C = -40°C
30
20
30
20
2000
2200
2400 2600 2800
3000
2000
2200
2400 2600 2800
3000
2000
2200
2400 2600 2800
3000
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.6V
-25
-30
-35
T C = -40°C, +25°C, +85°C
-25
-30
-35
-25
-30
-35
V CC = 3.0V
V CC = 3.3V
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-40
1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000
LO FREQUENCY (MHz)
-40
1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000
LO FREQUENCY (MHz)
-40
1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000
LO FREQUENCY (MHz)
12
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